ТЕМА: Требуется сделать часть ВКР, а именно, моделирование n и p -канальных МОП транзисторов с разной длиной и шириной канала ( lmin=3мкм lmax=50мкм wmin=12мкм wmax=50 мкм) в среде Sentaurus TCAD и экстракция их масштабируемой спайс модели
- 50%
3000
6000
Оглавление
.Экспериментальная часть
2.1 Измерительное оборудование для измерений статичных и динамических параметров высокочастотных КМОП схем
2.2. Программное обеспечение для моделирования и исследования высокочастотных схем
2.3 Описание тестового транзистора
2.4 Измерение характеристик и параметров КМОП элемента
2.5 Проектирование высокочастотного усилителя на МОП транзисторе с использованием параметров
2.6 Изготовление высокочастотного усилителя на МОП транзисторе и измерение его характеристик и параметров
2.7 Сравнение измеренных и рассчитанных характеристик усилителя на МОП транзисторе
Заключение (выводы)
Список литературы
2.Экспериментальная часть
2.1 Измерительное оборудование для измерений статичных и динамических параметров высокочастотных КМОП схем
Keithley 2602. Данные взяты из технической документации [10]. Источник/Измеритель KEITHLEY 2602 состоит из 6 1/2 разрядного прецизионного, высокостабильного источника питания постоянного тока с высокоимпедансным мультиметром. При...
Воспользуйтесь услугами наших партнеров:
Центр профессиональной помощи студентам "ДипломНаука" был создан для оказания качественных услуг для помощи студентам. Команда профессиональных авторов поможет написать дипломную, контрольную или курсовую на заказ любой сложности, а также поможет с разработкой плана, подготовит вас к защите дипломного проекта.
Консультационное агентство "СТУДЕНТБРЯНСК" специализируется на написании дипломных, курсовых, рефератов, контрольных, эссе по экономике, менеджменту, маркетингу, истории, математике, рекламе и пиару, связям с общественностью, психологии и ряду узких дисциплин.
